Предложенная методика основана на использовании специального метода обработки пластин WSP (сокращенно от Wafer-level Stack Package). Технология WSP позволяет добиться более высокой плотности упаковки чипов флэш-памяти по сравнению с применяющейся в настоящее время технологией многочиповых микросхем (MCP, Multi-Chip Package). В случае с МСР для соединения чипов применяются проводники, проходящие сквозь горизонтальные зазоры размером в несколько сотен микрон и вертикальные зазоры размером в несколько десятков микрон. При использовании метода WSP проводники проходят сквозь отверстия диаметром в несколько микрон непосредственно внутри чипа. Это, по заявлениям Samsung, позволяет уменьшить площадь микросхем на 15 процентов, а толщину - на 30 процентов.
Компания Samsung уже продемонстрировала первый микрочип памяти ёмкостью в 16 Гбит, изготовленный с применением технологии WSP. В корпусе микросхемы объединены восемь чипов NAND ёмкостью в 2 Гбит. Толщина каждого такого чипа составляет около 50 микрометров, а толщина всей микросхемы - 0,56 миллиметра. Массовое производство микросхем памяти NAND по методике Wafer-level Stack Package запланировано на начало следующего года. В перспективе новая технология будет применяться и при выпуске памяти DRAM.
Компания Samsung уже продемонстрировала первый микрочип памяти ёмкостью в 16 Гбит, изготовленный с применением технологии WSP. В корпусе микросхемы объединены восемь чипов NAND ёмкостью в 2 Гбит. Толщина каждого такого чипа составляет около 50 микрометров, а толщина всей микросхемы - 0,56 миллиметра. Массовое производство микросхем памяти NAND по методике Wafer-level Stack Package запланировано на начало следующего года. В перспективе новая технология будет применяться и при выпуске памяти DRAM.